METHOD OF MAKING LIGHT-EMITTING DIODE

FIELD: physics.SUBSTANCE: antireflection optical coating of SiOis deposited on a light-emitting GaN-n or GaN-p surface and a microrelief is formed in said coating in form of nano-spikes with density of 10-10items/cm. The present method enables to form a microrelief light-diffusing, light-emitting surface on both an n-type and p-type GaN without deterioration of heterostructure parameters.EFFECT: high external quantum efficiency of GaN-based light-emitting diodes.2 dwg, 1 ex Способ изготовления относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. Сущность способа заключается в том, что на световыводящей поверхности GaN-n или GaN-p типов осаждается просветляющее оптическое покрытие SiOи в нем формируется микрорельеф в виде наноострий с плотностью 10-10шт/см. Данный способ позволяет создавать микрорельефную рассеивающую свет световыводящую поверхность как на GaN n-типа, так и на GaN р-типа без ухудшения параметров гетероструктуры, кроме того, способ предназначен для повышения внешней квантовой эффективности светодиодов на основе GaN. 2 ил., 1 пр.