HYBRID PHOTOSENSITIVE CIRCUIT (HPC)

FIELD: electricity.SUBSTANCE: hybrid photosensitive circuit comprises: a diamond matrix photodetector (MPD), indium bars and silicon multiplexer sensitive sites. The structure of the MPD includes: an upper planar electrode, to which a bias voltage is applied, a diamond plate and lower electrodes of sensitive elements of the diamond MPD, from which the signal is picked. The lower electrodes are electrically connected through columns with indium arranged in a rectangular matrix with axes X and Y by sensitive elements of the silicon multiplexer. Number of indium columns on each X and Y axes must be at least two. In addition, the photodetector array of diamond in the X and Y has twice the pitch compared to the matrix of the silicon multiplexer, and lower electrodes of the diamond sensitive elements in the MPD are arranged in a staggered manner. The lower electrodes of the diamond sensitive elements of the MPD are connected electrically by indium bars only with odd or even sensitive sites of the silicon multiplexer, however, free sensitive sites of the silicon multiplexer may be used for recording visible and infrared radiations.EFFECT: expansion of the range of detected radiation, due to simultaneous recording of images in ultraviolet, visible and infrared spectra, longer life of HPC by eliminating ingress of hard UV radiation into a multiplexer.4 dwg Гибридная фоточувствительная схема содержит: алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками. В состав МФП входят: верхний плоский электрод, на который подается напряжение смещения, алмазная пластина и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ, с которых снимается сигнал. Нижние электроды гальванически связаны через индиевые столбики с расположенными в виде прямоугольной матрицы с осями X и Y чувствительными элементами кремниевого мультиплексора. Число индиевых столбиков на каждой осей X и Y должно быть не менее двух. Кроме того, матрица алмазного фотоприемника по оси X и Y имеет в два раза шаг больше, чем матрица кремниевого мультиплексора, и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ расположены в шахматном порядке. Нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ соединены гальванически индиевыми столбиками только с нечетными или четными чувствительными площадками кремниевого мультиплексора, поэтому, свободные чувствительные площадки кремниевого мультиплексора могут использоваться для регистрации видимого и ИК-из