METHOD OF FORMING SINGLE-CRYSTAL NANOWIRES IN MATRIX OF NATIVE OXIDE

FIELD: nanotechnology.SUBSTANCE: method of forming the single-crystal nanowires in a matrix of native oxide comprises applying to the surface of the single-crystal plate of a mask with the desired topology of the formed single-crystal nanowire, etching of the open areas of the single-crystal plate with providing negative angles to the walls inclination of the etched grooves to the original surface without breaking the continuity of the plate material and the subsequent oxidation of the single-crystal plate to clamp oxide around the conductive material stored in the form of a protrusion. The specified result is achieved also by the fact that prior to the oxidation process a complete or partial removal of the mask is carried out.EFFECT: ensuring the formation of single-crystal nanowires of the specified geometry in the matrix of native oxide.2 cl, 2 dwg Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур и может быть использовано в нанотехнологии, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств. Изобретение направлено на обеспечение формирование монокристаллических нанопроводников заданной геометрии в матрице собственного оксида. Способ формирования монокристаллических нанопроводников в матрице из собственного оксида включает нанесение на поверхность монокристаллической пластины маски с требуемой топологией формируемого монокристаллического нанопровода, травление открытых участков монокристаллической пластины с обеспечением отрицательных углов наклона стенок вытравливаемых углублений к исходной поверхности без нарушения сплошности материала пластины и последующее окисление монокристаллической пластины до смыкания оксида вокруг сохраненного в виде выступа проводящего вещества. Указанный результат достигается также тем, что перед проведением процесса окисления производится полное или частичное удаление маски. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.