METHOD OF PRODUCING AMORPHOUS MAGNETIC Co-P FILMS

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: method involves cleaning a glass substrate, double sensitisation in a tin chloride solution with intermediate treatment in hydrogen peroxide solution, activation in a palladium chloride solution, heat treatment at 150-450°C for 30-40 minutes, depositing a magnetic Co-P fi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PATRIN GENNADIJ SEMENOVICH, CHZHAN ANATOLIJ VLADIMIROVICH, BURKOVA LJUDMILA VIKTOROVNA
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: chemistry.SUBSTANCE: method involves cleaning a glass substrate, double sensitisation in a tin chloride solution with intermediate treatment in hydrogen peroxide solution, activation in a palladium chloride solution, heat treatment at 150-450°C for 30-40 minutes, depositing a magnetic Co-P film with thickness of 180-200 nm on a nonmagnetic amorphous Ni-P sublayer with thickness of 20-30 nm while applying a homogeneous constant magnetic field in the plane of the film. In the method, a nonmagnetic amorphous Ni-P interlayer is deposited on the magnetic Co-P film, followed by deposition of an identical magnetic amorphous Co-P film, wherein the thickness of the identical magnetic Co-P films is equal to 180-200 nm with thickness of the Ni-P interlayer of 2-3 nm.EFFECT: method improves quality of amorphous films by considerably reducing the coercitive force of the obtained films.1 dwg, 1 tbl Изобретение относится к области химического осаждения аморфных магнитных пленок Co-P, например, на полированное стекло и может быть использовано в вычислительной технике. Способ включает очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в растворе перекиси водорода, активацию в растворе хлористого палладия, термообработку при температуре 150-450°C в течение 30-40 мин, осаждение магнитной пленки Co-P толщиной 180-200 нм на немагнитный аморфный подслой Ni-P толщиной 20-30 нм при наложении в плоскости пленки однородного постоянного магнитного поля. При этом в способе на магнитную пленку Co-P осаждают немагнитную аморфную прослойку Ni-P с последующим осаждением идентичной магнитной аморфной пленки Co-P, причем толщина идентичных магнитных пленок Co-P равна 180-200 нм при толщине прослойки Ni-P 2-3 нм. Способ позволяет повысить качество аморфных пленок за счет значительного уменьшения величины коэрцитивной силы получаемых пленок. 1 ил., 1 табл.