WHITE LIGHT OPTICAL TRANSISTOR
FIELD: physics.SUBSTANCE: white light optical transistor is a semiconductor device designed to emit optical radiation based on a transistor structure with an alternating conductivity type, which forms an active region which generates a blue light. The optical transistor has a housing accommodating a...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: white light optical transistor is a semiconductor device designed to emit optical radiation based on a transistor structure with an alternating conductivity type, which forms an active region which generates a blue light. The optical transistor has a housing accommodating a chip with series-connected region with a first conductivity type, which is the emitter, a region with a second conductivity type, which is the base, and a second region with a first conductivity type, which is the collector. Each of the regions has an ohmic contact outside the housing, wherein the chip with the emitter with a reduced thickness, connected through the base to the collector, is placed in an optically transparent compound, in the top part of which a phosphor is implanted.EFFECT: enabling control of the base current of an optical transistor and, as a result, control the current of its emitter-collector circuit, thereby controlling luminous intensity of the active region of the optical transistor, which enables to create different emission modes of the optical transistor, including stabilisation of emission at a given level.1 dwg
Изобретение относится к полупроводниковым приборам. Светотрназистор белого света представляет собой полупроводниковое устройство, предназначенное для светового излучения на основе транзисторной структуры с чередующимся типом проводимости, образующей активную область, генерирующую синее свечение. Светотрназистор имеет корпус с размещенным в нем чипом с последовательно соединенными областью с первым типом проводимости, являющуюся эмиттером, областью со вторым типом проводимости, являющуюся базой, и второй областью с первым типом проводимости, являющуюся коллектором. Каждая из областей имеет омический контакт, вынесенный наружу корпуса, при этом чип с эмиттером уменьшенной толщины, соединенным через базу с коллектором, помещен в оптически прозрачный компаунд, в верхнюю часть которого имплантирован люминофор. Изобретение обеспечивает возможность управлять током базы светотранзистора и, как следствие, управлять током его цепи эмиттер-коллектор, тем самым управлять интенсивностью свечения активной области светотранзистора, что позволяет создавать различные режимы свечения светотранзистора, в том числе и стабилизировать свечение на заданном уровне. 1 ил. |
---|