THREE-COLLECTOR BIPOLAR MAGNETIC TRANSISTOR

FIELD: electricity.SUBSTANCE: three-collector bipolar magnetic transistor contains silicone single-crystal substrate, diffused tub, base zone in tub, emitter zones, the first and second measurement collectors at base, area of contacts; it is distinguished by location of emitter area and areas of collectors. Areas of emitter and collectors are located at base at distance from each other, along boundary of pn-junction of base-tub with low rate of surface recombination; contacts to tub are located in the tub near the boundary of pn-junction of base-tub, opposite to collectors while contacts to base are located between emitter and collectors; contacts to tub are connected to contacts to base by metallisation. Difference of collector current values in magnetic field corresponds to measured magnetic induction component vector of parallel crystal surface.EFFECT: enhancement in sensitivity of magnetic field parallel to crystal surface.5 dwg Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор, содержащий кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов, отличается расположением областей эмиттера и коллекторов. Области эмиттера и коллекторов располагаются в области базы на расстоянии друг от друга вдоль границы pn-перехода база-карман с низкой скоростью поверхностной рекомбинации, контакты к карману располагаются в кармане около границы pn-перехода база-карман напротив коллекторов, контакты к базе располагаются между эмиттером и коллекторами, контакты к карману соединены металлизацией с контактами к базе. Разница токов коллекторов в магнитном поле соответствует измеряемой составляющей вектора магнитной индукции параллельной поверхности кристалла. 5 ил.