POWERFUL HYBRID INTEGRAL CIRCUIT OF SHF RANGE

FIELD: electricity.SUBSTANCE: powerful hybrid integral circuit of SHF range contains electric- and heat-conducting base with protrusion, dielectric substrate with metallisation pattern on its face and ground metallisation pattern at the other side divided at least into two parts and each part is installed at the heat-conducting base at the opposite sides from protrusion, back-to-back to protrusion; at least one chip of active semiconductor is installed and fixed at the protrusion; height of the protrusion is so that exposed surfaces of chips and dielectric substrate are placed in the same plane; the protrusion of electric- and heat-conducting base is made as metalised diamond insert placed and fixed at the base depression, at that selected depression depth h ensures minimum temperature difference ?t (°C) for the chip of active semiconductor and the other side of electric- and heat-conducting base:where ? is thermal conductivity of diamond (coefficient of heat conductivity W/(m×degree)), Q is power of the chip of active semiconductor (W), polynominal coefficients are A=-17.44331; A=31.36052; A=-22.21548; A=19.01102; A=-995.19516; A=-4.10308×10; A=-1.56933×10; A=4.81737×10; A=-1.6359×10corresponding to depression depth h in the range from 0.001 up to 0.8 mm and thickness of depression bottom is equal to 0.2 mm or more.EFFECT: improving thermal and electric characteristics.2 cl, 5 dwg, 3 tbl Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и теплопроводящее основание с выступом, диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, разделенную, по меньшей мере, на две части, каждая из которых установлена на теплопроводящем основании с противоположных сторон выступа вплотную к нему, на выступе установлен и закреплен, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора, высота выступа выполнена такой, что лицевые поверхности кристаллов и диэлектрической подложки расположены в одной плоскости, выступ электро- и теплопроводящего основания выполнен в виде металлизированной алмазной вставки, расположенной и закрепленной в углублении основания, при этом глубина углубления h выбрана такой, что обеспечивается минимальная разность