MULTILAYER CERAMIC HETEROSTRUCTURE WITH MAGNETOELECTRIC EFFECT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to making magnetoelectric converters used as a base for magnetic field sensors, microwave electronic devices, for magnetoelectric information recording technology and for electromagnetic energy and vibration energy storages. The method involves forming a s...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GOLOVNIN VLADIMIR ALEKSEEVICH, KARPENKOV ALEKSEJ JUR'EVICH, KARPENKOV DMITRIJ JUR'EVICH, PASTUSHENKOV ALEKSANDR GRIGOR'EVICH, PASTUSHENKOV JURIJ GRIGOR'EVICH, BOGOMOLOV ALEKSEJ ALEKSEEVICH, SOLNYSHKIN ALEKSANDR VALENTINOVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to making magnetoelectric converters used as a base for magnetic field sensors, microwave electronic devices, for magnetoelectric information recording technology and for electromagnetic energy and vibration energy storages. The method involves forming a stack of alternating magnetostrictor and piezoceramic layers. Said stack is formed in three steps: first, electroconductive contacts are deposited on the entire surface of magnetostrictors; all surfaces of magnetostrictors and piezoceramic, except end surfaces, are coated with a layer of electroconductive epoxy adhesive, after which a stack of alternating magnetostrictor and piezoceramic layers is formed. The layers are joined by pressing at temperature of 60-100°C and excess pressure of (1.3-2.6)·10Pa. The multilayer ceramic heterostructure contains 9-11 magnetostrictor and piezoceramic layers. The piezoeceramic layer has thickness of 0.10-0.13 mm and the magnetostrictor layer has thickness of 0.25-0.30 mm.EFFECT: low power consumption and high sensitivity.2 cl, 2 tbl, 4 dwg Изобретение относится к электронной технике, а именно: к области создания магнитоэлектрических преобразователей, применяемых в качестве основы для датчиков магнитных полей, устройств СВЧ-электроники, основы для технологии магнитоэлектрической записи информации и для накопителей электромагнитной энергии и энергии вибраций. Сущность: способ включает формирование пакета чередующихся слоев магнитостриктора и пьзокерамики. Формирование пакета производится в три стадии: вначале на всю поверхность магнитострикторов наносятся электропроводящие контакты, затем все поверхности магнитострикторов и пьезокерамики, кроме торцевых, покрываются слоем электропроводящего эпоксидного клея, после чего формируется пакет чередованием слоев магнитостриктора и пьзокерамики. Соединение слоев осуществляется прессованием при температуре 60÷100°С и избыточном давлении (1,3÷2,6)·10Па. Многослойная керамическая гетероструктура содержит 9÷11 слоев пьезокерамики и магнитостриктора. Толщина слоя пьзокерамики - 0,10÷0,13 мм, магнитостриктора - 0,25÷0,30 мм. Технический результат: снижение энергоемкости и повышение чувствительности. 2 н.п. ф-лы, 2 табл. 4 ил.