METHOD OF GENERATING INTERROGATION SIGNAL FOR SAW SENSOR WITH REFLECTING STRUCTURES

FIELD: physics.SUBSTANCE: method of generating an interrogation signal for a surface acoustic wave (SAW) sensor with reflecting structures involves generating a radio signal, wherein the interrogation signal consists of a series of two partial signals, the first providing maximisation of energy in s...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: ANTSEV GEORGIJ VLADIMIROVICH, BOGOSLOVSKIJ SERGEJ VLADIMIROVICH, ANTSEV IVAN GEORGIEVICH, SAPOZHNIKOV GENNADIJ ANATOL'EVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics.SUBSTANCE: method of generating an interrogation signal for a surface acoustic wave (SAW) sensor with reflecting structures involves generating a radio signal, wherein the interrogation signal consists of a series of two partial signals, the first providing maximisation of energy in second reflection from the reflecting structures of the SAW sensor, and the second partial signal provides maximisation of energy in first reflection from the reflecting structures of the SAW sensor, wherein surface acoustic waves from the first and second reflections are transmitted in-phase to an interdigital transducer.EFFECT: high intensity of the reemitted wave.1 dwg Использование: в приборостроении и машиностроении для измерения физических величин, а именно в способе формирования запросного сигнала для датчика на ПАВ с отражающими структурами. Сущность: способ формирования запросного сигнала для датчика на ПАВ с отражающими структурами состоит в формировании радиосигнала, при этом запросный сигнал состоит из последовательности двух частных сигналов, первый из которых обеспечивает максимизацию энергии во втором отражении от отражающих структур датчика на ПАВ, а второй по времени частный сигнал обеспечивает максимизацию энергии в первом отражении от отражающих структур датчика на ПАВ, при этом поверхностные акустические волны от первого и второго отражений синфазно складываются на встречно-штыревом преобразователе. Технический результат: увеличение интенсивности переизлучаемой волны. 1 ил.