METHOD FOR MANUFACTURE OF p-i-n SEMICONDUCTOR STRUCTURE BASED ON GaAs-GaAlAs COMPOUNDS BY WAY OF LIQUID EPITAXY METHOD

FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: invention relates to the field of microelectronic power engineering, more specifically - to methods for manufacture of p-i-n semiconductor structures of ABcompounds by way of liquid epitaxy methods. The concept of the invention is as follows: method for manufacture of p-i-n semiconductor structure based on GaAs-GaAlAs compounds by way of liquid epitaxy method includes initial charge stock heating to obtain a saturated solution-melt of its components, interaction of the solution-melt with the components to obtain the preset composition of the solution-melt, contacting the substrate with the obtained solution-melt, further forced cooling for growing epitaxial layer GaAss having p-i-n structure, removal of the substrate coated with GaAss layer having p-i-n structure from under the melt; the component compositions of the solution-melts GaAs p-i-n structure growth are configured in a dehydrated atmosphere by way of preliminary introduction of two additional solid components (represented by silicon dioxide SiOand gallium (III) oxide into the initial charge stock with further heating of such multicomponent charge stock to epitaxy commencement temperature with maintenance at such temperature during a pre-set period of time.EFFECT: high reproducibility, simplicity and versatility of the technology, possibility to use the developed method for industrial-scale manufacture structures for power electronics possessing high engineering parameters.9 cl, 1 dwg, 2 ex Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений ABметодами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии включает нагрев исходной шихты до образования насыщенного раствора-расплава ее компонентов, взаимодействие раствора-расплава с компонентами для получения заданного состава раствора-расплава, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру, удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющим p-i-n структуру, из-под расплава, компонентные составы растворов-расплавов для выращивания GaAs p-i-n структуры формируют в обезвоженной атмосфере путем предварительного введения в исходную шихту двух дополнительных твердых компонентов, представл