METHOD TO DETECT STRUCTURAL DEFECTS IN SILICON

FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: method includes radiation of an object in n-points with continuous probing IR-radiation Lwith wave length ??5.0 mcm, registration of intensity Iof radiation Lthat has passed through the object and mathematical processing of registration results. At the same time the object is additionally radiated with pulse IR-radiation L, which crosses the radiation Lwith wave length ?=1.0÷1.3 mcm, pulse duration ??=0.8÷1.0 ms and pulse repetition rate ?=0.6÷1.0 mcs, registration of intensity Iis carried out during the period between pulses of radiation L. Visualisation of structural defects distribution in the object volume is carried out according to the ratio I/I, where I- maximum of the recorded values I.EFFECT: direct visualisation of structural defects distribution in silicon volume.1 dwg Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов, и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов в кремниевых слитках перед разрезанием слитков на пластины. Способ включает облучение объекта в n-точках непрерывным зондирующим ИК-излучением Lс длиной волны λ≤5,0 мкм, регистрацию интенсивности Iпрошедшего через объект излучения Lи математическую обработку результатов регистрации. При этом объект дополнительно облучают пересекающим излучение Lимпульсным ИК-излучением Lс длиной волны λ=1,0÷1,3 мкм, длительностью импульса Δτ=0,8÷1,0 мс и частотой следования импульсов ω=0,6÷1,0 мкс, регистрацию интенсивности Iосуществляют в период между импульсами излучения L. Визуализацию распределения структурных дефектов в объеме объекта осуществляют по отношению I/I, где I- максимальное из зарегистрированных значений I. Изобретение обеспечивает прямую визуализацию распределения структурных дефектов в объеме кремния. 1 ил.