METHOD FOR MANUFACTURE OF POWERFUL UHF TRANSISTOR

FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: method for manufacture of a powerful UHF transistor includes formation of the topology of at least one transistor crystal on the semiconductor substrate face side, formation of the transistor electrodes, formation of at least one protective dielectric layer along the whole of the transistor crystal topology by way of plasma chemical application, the layer total length being 0.15-0.25 mcm, formation of the transistor crystal size by way of lithography and chemical etching processes. Prior to formation of the transistor crystal size, within the choke electrode area one performs local plasma chemical etching of the protective dielectric layer to a depth equal to the layer thickness; immediately after that one performs formation of protectively passivating dielectric layers of silicon nitride and diozide with thickness equal to 0.045-0.050 mm; plasma chemical application of the latter layers and the protective dielectric layer is performed in the same technological modes with plasma power equal to 300-350 W, during 30-35 sec and at a temperature of 150-250°C; during formation of the transistor crystal size ne performs chemical etching of the protectively passivating dielectric layers and the protective dielectric layer within the same technological cycle.EFFECT: increased power output and augmentation ratio or powerful transistors with their long-term stability preservation.4 cl, 1 dwg, 1 tbl Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного защитного диэлектрического слоя по всей топологии кристалла транзистора посредством плазмохимического нанесения, общей толщиной 0,15-0,25 мкм, формирование размера кристалла транзистора посредством процессов литографии и химического травления. Перед формированием размера кристалла транзистора в области электрода затвора дополнительно проводят локальное плазмохимическое травление защитного диэлектрического слоя на глубину, равную его толщине и непосредственно далее проводят формирование защитно-пассивирующих диэлектрических слоев посредством плазмохимического нанесения прямой последовательности системы диэлектрических слоев нитрида и диоксида кремния толщиной, равной каждый 0,045-0,050 мкм, причем плазмохимическое нанесение последних и защитного ди