MANUFACTURING METHOD OF NANO-ELECTROMECHANICAL CONVERTER, AND NANO-ELECTROMECHANICAL CONVERTER WITH AUTOELECTRONIC EMISSION
FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: first, the appropriate planar integral circuit is created; for that purpose, contact platforms are formed on reverse side of the base; then, the first conducting layer is created; after that, circuit of a sensitive element of the converter is formed and a sacr...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: first, the appropriate planar integral circuit is created; for that purpose, contact platforms are formed on reverse side of the base; then, the first conducting layer is created; after that, circuit of a sensitive element of the converter is formed and a sacrificial layer is removed, and the method is completed with formation of the converter housing and formation of whiskers. Besides, at formation of the converter housing in a closed volume of the housing, gas medium with specified parameters is created, and formation of a whisker is performed due to supply of pulses of the specified shape to electrodes. As specified parameters of the medium, for example, pressure and/or dew point are used. Pulses in the form of half-period of sine wave of the specified amplitude and frequency are supplied to electrodes.EFFECT: unification of different types of sensors with autoelectronic emission and reduction of standard sizes of different sensors.4 cl, 12 dwg
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к средствам измерения линейных ускорений, угловых скоростей и тепловых полей малой интенсивности в инфракрасной и терагерцовой области. Сущность способа изготовления наноэлектромеханического преобразователя на основе поверхностной микромеханической технологии для кремниевого или сапфирового основания, заключается в том, что предварительно создают соответствующую планарную интегральную схему, для чего сначала формируют контактные площадки на обратной стороне основания, затем создают первый проводниковый слой, после чего осуществляют формирование контура чувствительного элемента преобразователя и удаляют жертвенный слой, а завершают способ корпусировкой преобразователя и формированием вискеров. Кроме того, при корпусировке преобразователя в замкнутом объеме корпуса создают газовую среду с заданными параметрами, а формирование вискера осуществляют за счет подачи на электроды импульсов заданной формы. В качестве заданных параметров среды используют, например, давление и/или точку росы. На электроды подают импульсы в форме полупериода синусоиды заданной амплитуды и частоты. Технический результат заключается в унификации различных типов датчиков с автоэлектронной эмиссией и уменьшении типоразмеров различных датчиков. 3 з.п. ф-лы, 12 ил. |
---|