METHOD OF PRODUCING DIAMONDS WITH SEMICONDUCTOR PROPERTIES

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: method involves decomposition of solid carbonyl compounds of platinum metals in a gaseous medium at high temperature in a sealed container to form diamonds and doping said diamonds with boron at temperature of 150°C-500°C for 2-5 hours in a gaseous medium which contains carbon monoxide CO and diborane BHwith weight ratio of boron to carbon in the gaseous mixture of 1:100-1000.EFFECT: obtaining high quality diamond monocrystals with semiconductor properties.1 tbl, 5 ex Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению синтетических алмазов, легированных бором, которые могут найти применение в электронной промышленности для изготовления полупроводниковых устройств. Способ включает разложение твердых карбонильных соединений платиновых металлов в газовой среде при повышенной температуре в герметичном контейнере с образованием алмазов и их легирование бором при температуре 150°С÷500°С в течение 2-5 часов в газовой среде, содержащей монооксид углерода СО и диборан BHпри весовом соотношении в газовой смеси бора к углероду, равном 1:100÷1000. Техническим результатом изобретения является получение монокристаллов алмаза с полупроводниковыми свойствами высокого качества. 1 табл., 5 пр.