METHOD OF GRINDING DIAMOND PLATES
FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to grinding of polycrystalline diamond plates and may be used in production of components for microelectronics, IR-, visible- and X-ray-band optics. Polycrystalline diamond plate surface is subjected to abrasion-free grinding by friction betwee...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to grinding of polycrystalline diamond plates and may be used in production of components for microelectronics, IR-, visible- and X-ray-band optics. Polycrystalline diamond plate surface is subjected to abrasion-free grinding by friction between said surface and rotary rider. The latter is made from ceramics or quartz that don't react with said surface in grinding. Additionally, used is ultrafine copper or copper oxide powder as a diamond thermochemical processing initiator. Processing is carried out in air or atmosphere bearing, at least, 10% of oxygen at temperature not higher than 400°C.EFFECT: higher quality of processing, lower costs.2 cl, 1 dwg
Изобретение относится к обработке поликристаллических алмазных пластин и изделий из них и может быть использовано для производства элементов микроэлектроники, оптики инфракрасного, видимого и рентгеновского диапазонов. Осуществляют безабразивную полировку поверхности алмазных поликристаллических пластин трением путем взаимодействия поверхности пластин с вращающимся контртелом. Последнее изготавливают из керамики или кварца, которые не вступают в реакцию с поверхностью алмазной пластины при температуре полировки. Дополнительно используют ультрадисперсный порошок меди или оксида меди в качестве вещества, инициирующего термохимическую обработку алмаза. Обработку ведут на воздухе или в атмосфере, содержащей не менее 10% кислорода при температуре, превышающей 400°С. В результате повышается качество обработки алмазных поликристаллических пластин при удешевлении процесса. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. |
---|