DESIGN AND TECHNOLOGY TO MANUFACTURE INTEGRAL MICROMECHANICAL RELAY WITH MOVABLE ELECTRODE AS STRUCTURE WITH PIEZOELECTRIC LAYER
FIELD: electricity.SUBSTANCE: method to manufacture an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer, comprising a substrate, coated with a dielectric layer with a lower (fixed) electrode and a movable electrode, consisting serially of...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | KHOMJAKOV IL'JA ALEKSEEVICH ZAJTSEV NIKOLAJ ALEKSEEVICH ORLOV SERGEJ NIKOLAEVICH DAJNEKO ANDREJ VLADIMIROVICH |
| description | FIELD: electricity.SUBSTANCE: method to manufacture an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer, comprising a substrate, coated with a dielectric layer with a lower (fixed) electrode and a movable electrode, consisting serially of a lower current-conductive layer, a dielectric layer with high elastic properties, a medium current-conductive layer, a piezoelectric layer, an upper current-conductive layer, arranged on the surface of the above substrate is realised on the surface of silicon plates. Development of an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer is carried out in a single process cycle with simplified manufacturing technology compatible with technology of production of integrated circuits, in which formation of a movable electrode is possible in the form of a cantilever or in the form of a beam and includes the following operations: formation of a film SiNon the surface of the silicon substrate by the method of SiNpyrolysis; sputtering of a TiN layer and formation of a "lower electrode" structure by the method of projection photolithography and plasma-chemical etching of the TiN layer; deposition of a layer of PSG (phosphate-silicate glass) by the method of chemical deposition from a gas phase and formation of a sacrificial layer on its basis by the method of liquid chemical etching; sputtering of the first TiN layer; deposition of the dielectric layer SiN; sputtering of the second TiN layer; deposition of the piezoelectric layer of lead zirconate titanate (LZT); sputtering of the third TiN layer; plasma-chemical etching of the layers: the third TiN layer, the LZT layer, the second TiN layer, the SiNlayer, the first TiN layer with formation of a movable multilayer electrode and opening of the sacrificial layer of PSG, liquid chemical etching of the sacrificial PSG layer with formation of an air gap between a fixed and a movable electrodes.EFFECT: increased reliability and extended service life of a micromechanical relay, using microelectronic technology for production of a micromechanical relay makes it possible to minimise device dimensions down to 20-80 mcm and to simplify technology of its production.3 cl, 5 dwg
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2481675C2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2481675C2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2481675C23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNzEsKwkAQBNBsXIh6h76AC-N323Y6ycB8ZNKjxE0IMq5EA_EAHt2gHsBVUfCqxskr40oVFtBmIEylddoVNYgDgzbkSBI8g7LChUcNRpF3ZnBoFQ3ds8YaTkpKMO6Ie83Amkm8yxiwgkp8-F58zEHx2X2BIhim7KfJ6Nre-jj75SSBnIXKeeweTey79hLv8dn4kK52i812TenyD_IGKp88XQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>DESIGN AND TECHNOLOGY TO MANUFACTURE INTEGRAL MICROMECHANICAL RELAY WITH MOVABLE ELECTRODE AS STRUCTURE WITH PIEZOELECTRIC LAYER</title><source>esp@cenet</source><creator>KHOMJAKOV IL'JA ALEKSEEVICH ; ZAJTSEV NIKOLAJ ALEKSEEVICH ; ORLOV SERGEJ NIKOLAEVICH ; DAJNEKO ANDREJ VLADIMIROVICH</creator><creatorcontrib>KHOMJAKOV IL'JA ALEKSEEVICH ; ZAJTSEV NIKOLAJ ALEKSEEVICH ; ORLOV SERGEJ NIKOLAEVICH ; DAJNEKO ANDREJ VLADIMIROVICH</creatorcontrib><description>FIELD: electricity.SUBSTANCE: method to manufacture an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer, comprising a substrate, coated with a dielectric layer with a lower (fixed) electrode and a movable electrode, consisting serially of a lower current-conductive layer, a dielectric layer with high elastic properties, a medium current-conductive layer, a piezoelectric layer, an upper current-conductive layer, arranged on the surface of the above substrate is realised on the surface of silicon plates. Development of an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer is carried out in a single process cycle with simplified manufacturing technology compatible with technology of production of integrated circuits, in which formation of a movable electrode is possible in the form of a cantilever or in the form of a beam and includes the following operations: formation of a film SiNon the surface of the silicon substrate by the method of SiNpyrolysis; sputtering of a TiN layer and formation of a "lower electrode" structure by the method of projection photolithography and plasma-chemical etching of the TiN layer; deposition of a layer of PSG (phosphate-silicate glass) by the method of chemical deposition from a gas phase and formation of a sacrificial layer on its basis by the method of liquid chemical etching; sputtering of the first TiN layer; deposition of the dielectric layer SiN; sputtering of the second TiN layer; deposition of the piezoelectric layer of lead zirconate titanate (LZT); sputtering of the third TiN layer; plasma-chemical etching of the layers: the third TiN layer, the LZT layer, the second TiN layer, the SiNlayer, the first TiN layer with formation of a movable multilayer electrode and opening of the sacrificial layer of PSG, liquid chemical etching of the sacrificial PSG layer with formation of an air gap between a fixed and a movable electrodes.EFFECT: increased reliability and extended service life of a micromechanical relay, using microelectronic technology for production of a micromechanical relay makes it possible to minimise device dimensions down to 20-80 mcm and to simplify technology of its production.3 cl, 5 dwg
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе: силовых переключателей, схем памяти, сенсорных датчиков, систем обработки информации и др. Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящее из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним (неподвижным) электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, расположенного на поверхности вышеупомянутой подложки, осуществляется на поверхности кремниевых пластин. Создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем осуществляют в едином технологическом цикле при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, в которой формирование подвижного электрода возможно в виде консоли или в виде балки и включает операции: формирования на поверхности кремниевой подложки пленки SiNметодом пиролиза SiN; напыление слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя методом жидкостного химического травления;</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES ; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2013</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130510&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2481675C2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130510&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2481675C2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KHOMJAKOV IL'JA ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ZAJTSEV NIKOLAJ ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ORLOV SERGEJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>DAJNEKO ANDREJ VLADIMIROVICH</creatorcontrib><title>DESIGN AND TECHNOLOGY TO MANUFACTURE INTEGRAL MICROMECHANICAL RELAY WITH MOVABLE ELECTRODE AS STRUCTURE WITH PIEZOELECTRIC LAYER</title><description>FIELD: electricity.SUBSTANCE: method to manufacture an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer, comprising a substrate, coated with a dielectric layer with a lower (fixed) electrode and a movable electrode, consisting serially of a lower current-conductive layer, a dielectric layer with high elastic properties, a medium current-conductive layer, a piezoelectric layer, an upper current-conductive layer, arranged on the surface of the above substrate is realised on the surface of silicon plates. Development of an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer is carried out in a single process cycle with simplified manufacturing technology compatible with technology of production of integrated circuits, in which formation of a movable electrode is possible in the form of a cantilever or in the form of a beam and includes the following operations: formation of a film SiNon the surface of the silicon substrate by the method of SiNpyrolysis; sputtering of a TiN layer and formation of a "lower electrode" structure by the method of projection photolithography and plasma-chemical etching of the TiN layer; deposition of a layer of PSG (phosphate-silicate glass) by the method of chemical deposition from a gas phase and formation of a sacrificial layer on its basis by the method of liquid chemical etching; sputtering of the first TiN layer; deposition of the dielectric layer SiN; sputtering of the second TiN layer; deposition of the piezoelectric layer of lead zirconate titanate (LZT); sputtering of the third TiN layer; plasma-chemical etching of the layers: the third TiN layer, the LZT layer, the second TiN layer, the SiNlayer, the first TiN layer with formation of a movable multilayer electrode and opening of the sacrificial layer of PSG, liquid chemical etching of the sacrificial PSG layer with formation of an air gap between a fixed and a movable electrodes.EFFECT: increased reliability and extended service life of a micromechanical relay, using microelectronic technology for production of a micromechanical relay makes it possible to minimise device dimensions down to 20-80 mcm and to simplify technology of its production.3 cl, 5 dwg
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе: силовых переключателей, схем памяти, сенсорных датчиков, систем обработки информации и др. Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящее из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним (неподвижным) электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, расположенного на поверхности вышеупомянутой подложки, осуществляется на поверхности кремниевых пластин. Создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем осуществляют в едином технологическом цикле при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, в которой формирование подвижного электрода возможно в виде консоли или в виде балки и включает операции: формирования на поверхности кремниевой подложки пленки SiNметодом пиролиза SiN; напыление слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя методом жидкостного химического травления;</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</subject><subject>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNzEsKwkAQBNBsXIh6h76AC-N323Y6ycB8ZNKjxE0IMq5EA_EAHt2gHsBVUfCqxskr40oVFtBmIEylddoVNYgDgzbkSBI8g7LChUcNRpF3ZnBoFQ3ds8YaTkpKMO6Ie83Amkm8yxiwgkp8-F58zEHx2X2BIhim7KfJ6Nre-jj75SSBnIXKeeweTey79hLv8dn4kK52i812TenyD_IGKp88XQ</recordid><startdate>20130510</startdate><enddate>20130510</enddate><creator>KHOMJAKOV IL'JA ALEKSEEVICH</creator><creator>ZAJTSEV NIKOLAJ ALEKSEEVICH</creator><creator>ORLOV SERGEJ NIKOLAEVICH</creator><creator>DAJNEKO ANDREJ VLADIMIROVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20130510</creationdate><title>DESIGN AND TECHNOLOGY TO MANUFACTURE INTEGRAL MICROMECHANICAL RELAY WITH MOVABLE ELECTRODE AS STRUCTURE WITH PIEZOELECTRIC LAYER</title><author>KHOMJAKOV IL'JA ALEKSEEVICH ; ZAJTSEV NIKOLAJ ALEKSEEVICH ; ORLOV SERGEJ NIKOLAEVICH ; DAJNEKO ANDREJ VLADIMIROVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2481675C23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2013</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</topic><topic>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KHOMJAKOV IL'JA ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ZAJTSEV NIKOLAJ ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ORLOV SERGEJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>DAJNEKO ANDREJ VLADIMIROVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KHOMJAKOV IL'JA ALEKSEEVICH</au><au>ZAJTSEV NIKOLAJ ALEKSEEVICH</au><au>ORLOV SERGEJ NIKOLAEVICH</au><au>DAJNEKO ANDREJ VLADIMIROVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DESIGN AND TECHNOLOGY TO MANUFACTURE INTEGRAL MICROMECHANICAL RELAY WITH MOVABLE ELECTRODE AS STRUCTURE WITH PIEZOELECTRIC LAYER</title><date>2013-05-10</date><risdate>2013</risdate><abstract>FIELD: electricity.SUBSTANCE: method to manufacture an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer, comprising a substrate, coated with a dielectric layer with a lower (fixed) electrode and a movable electrode, consisting serially of a lower current-conductive layer, a dielectric layer with high elastic properties, a medium current-conductive layer, a piezoelectric layer, an upper current-conductive layer, arranged on the surface of the above substrate is realised on the surface of silicon plates. Development of an integral micromechanical relay with a movable electrode in the form of a structure with a piezoelectric layer is carried out in a single process cycle with simplified manufacturing technology compatible with technology of production of integrated circuits, in which formation of a movable electrode is possible in the form of a cantilever or in the form of a beam and includes the following operations: formation of a film SiNon the surface of the silicon substrate by the method of SiNpyrolysis; sputtering of a TiN layer and formation of a "lower electrode" structure by the method of projection photolithography and plasma-chemical etching of the TiN layer; deposition of a layer of PSG (phosphate-silicate glass) by the method of chemical deposition from a gas phase and formation of a sacrificial layer on its basis by the method of liquid chemical etching; sputtering of the first TiN layer; deposition of the dielectric layer SiN; sputtering of the second TiN layer; deposition of the piezoelectric layer of lead zirconate titanate (LZT); sputtering of the third TiN layer; plasma-chemical etching of the layers: the third TiN layer, the LZT layer, the second TiN layer, the SiNlayer, the first TiN layer with formation of a movable multilayer electrode and opening of the sacrificial layer of PSG, liquid chemical etching of the sacrificial PSG layer with formation of an air gap between a fixed and a movable electrodes.EFFECT: increased reliability and extended service life of a micromechanical relay, using microelectronic technology for production of a micromechanical relay makes it possible to minimise device dimensions down to 20-80 mcm and to simplify technology of its production.3 cl, 5 dwg
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе: силовых переключателей, схем памяти, сенсорных датчиков, систем обработки информации и др. Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящее из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним (неподвижным) электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, расположенного на поверхности вышеупомянутой подложки, осуществляется на поверхности кремниевых пластин. Создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем осуществляют в едином технологическом цикле при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, в которой формирование подвижного электрода возможно в виде консоли или в виде балки и включает операции: формирования на поверхности кремниевой подложки пленки SiNметодом пиролиза SiN; напыление слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя методом жидкостного химического травления;</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2481675C2 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING |
| title | DESIGN AND TECHNOLOGY TO MANUFACTURE INTEGRAL MICROMECHANICAL RELAY WITH MOVABLE ELECTRODE AS STRUCTURE WITH PIEZOELECTRIC LAYER |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-23T03%3A42%3A08IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=KHOMJAKOV%20IL'JA%20ALEKSEEVICH&rft.date=2013-05-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2481675C2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |