BONDED SEMICONDUCTOR RESISTIVE STRAIN GAUGE

FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: resistive strain gauge includes polymer substrate 1, separating dielectric film 2, for example from silicon monoxide, strain-sensitive film 3 from samarium monosulphide, contact metal platforms 4, which are located on its ends, and metal films made in the form of straps 5 located on strain-sensitive film 3, in parallel and at some distance from each other; at that, they are connected next but one to opposite contact platforms 4 and serve as shunts, and non-shunted part of the strain-sensitive film obtains the shape of a meander.EFFECT: possibility of obtaining a resistive strain gauge with high strain sensitivity and low electric resistance at small sizes.3 dwg Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в качестве чувствительного элемента в датчиках механических величин (силы, давления, веса, перемещения и т.д.). Предлагаемый тензорезистор содержит полимерную подложку 1, разделительную диэлектрическую пленку 2, например, из моноокиси кремния, тензочувствительную пленку 3 из моносульфида самария, расположенные на ее концах металлические контактные площадки 4, и металлические пленки, выполненные в виде полосок 5, расположенных на тензочувствительной пленке 3, параллельно и на расстоянии друг от друга, при этом они через одну соединены с противоположными контактными площадками 4 и выполняют роль шунтов, а незашунтированная часть тензочувствительной пленки приобретает форму меандра. Изобретение обеспечивает возможность получения тензорезистора с высокой тензочувствительностью и низким электрическим сопротивлением при малых размерах. 3 ил.