METHOD OF FORMING MASKING IMAGE IN POSITIVE ELECTRON RESISTS

FIELD: physics.SUBSTANCE: method of forming a masking image in positive electron resists involves direct etching of the resist directly in the process of exposure with an electron beam in a vacuum. The resists used are polymers which are capable of chain depolymerisation (e.g., polyalkylmethacrylate...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BRUK MARK AVRAMOVICH, ZHIKHAREV EVGENIJ NIKOLAEVICH, STREL'TSOV DMITRIJ ROSTISLAVOVICH, KAL'NOV VLADIMIR ALEKSANDROVICH, SPIRIN ALEKSANDR VLADIMIROVICH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COMPOSITIONS BASED THEREON ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS MATERIALS THEREFOR METALLURGY ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	FIELD: physics.SUBSTANCE: method of forming a masking image in positive electron resists involves direct etching of the resist directly in the process of exposure with an electron beam in a vacuum. The resists used are polymers which are capable of chain depolymerisation (e.g., polyalkylmethacrylates, polymethyl-isopropenyl ketone, poly-alpha-methylstyrene). Exposure is carried out in the region of the glass-transition temperature of the starting polymer or at higher temperatures.EFFECT: considerably lower exposure dosage and avoiding the need to use additional reactants in the system.2 cl, 5 dwg, 1 tbl Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах состоит в прямом травлении резиста непосредственно в процессе экспонирования пучком электронов в вакууме. В качестве резистов используют полимеры, способные к цепной деполимеризации (например, полиалкилметакрилаты, полиметилизопропенилкетон, поли-альфа-метилстирол). Экспонирование проводят в области температуры стеклования исходного полимера или при более высоких температурах. Технический результат состоит в значительном снижении дозы экспонирования и устранении необходимости введения в систему дополнительных реагентов. 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.