SENSITIVE ELEMENT FOR MEASUREMENT OF PHYSICAL QUANTITIES ON MAGNETOSTATIC WAVES

FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: sensitive element consists of substrate layer 4 made on the basis of gadolinium-gallium garnet, material layer 3 epitaxially grown on it, in which magnetostatic waves are spread, for example yttrium-iron garnet, converter 1 of electric signals to magnetostatic wave, constant magnet 5 located under substrate layer 4. A gap is formed between constant magnet 5 and substrate layer 4. Reflecting structures 2 are formed on both sides of converter 1 so that an envelope of pulse characteristic of converter 1 and reflecting structure 2 has, on one side of converter 1, maxima at the time moments corresponding to minima of the envelope of pulse characteristic of converter 1 and reflecting structures 2 on the other side of the converter of electric signals.EFFECT: increasing sensitivity; reducing losses and enlarging the range of working frequencies above 3 GHz.1 dwg Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в приборостроении и машиностроении для измерения физических величин (температуры, давления, деформации). Технический результат: увеличение чувствительности, уменьшение вносимых потерь и увеличение диапазона рабочих частот свыше 3 ГГц. Сущность: чувствительный элемент состоит из слоя подложки 4, выполненной на основе гадолиний-галлиевого граната, эпитаксиально выращенного на нем слоя материала 3, в котором распространяются магнитостатические волны, например железоиттриевого граната, преобразователя 1 электрических сигналов в магнитостатическую волну, постоянного магнита 5, расположенного под слоем подложки 4. Между постоянным магнитом 5 и слоем подложки 4 образован зазор. С двух сторон от преобразователя 1 сформированы отражающие структуры 2 таким образом, что огибающая импульсной характеристики преобразователя 1 и отражающих структур 2 с одной стороны от преобразователя 1 имеет максимумы в моменты времени, соответствующие минимумам огибающей импульсной характеристики преобразователя 1 и отражающих структур 2 с другой стороны от преобразователя электрических сигналов. 1 ил.