METHOD OF MAKING LIGHT-EMITTING DEVICES BASED ON GROUP III NITRIDES GROWN ON STRESS RELIEF TEMPLATES

FIELD: physics.SUBSTANCE: present invention relates to growth techniques and designs of semiconductor light-emitting devices. The method of making a light-emitting device according to the invention involves steps for growing a III nitride structure on a substrate, wherein the III nitride structure has a template which in turn has a first layer grown directly on the substrate, wherein the first layer essentially does not contain indium; a second layer grown over the first layer, wherein the second layer is a non-monocrystalline layer which contains indium; and a third layer grown over the second layer and in direct contact with the second layer, wherein the third layer is a non-monocrystalline layer which contains indium; and device layers grown over the template, device layers containing a III nitride light-emitting layer between an n-type region and a p-type region. Another version of the method of making the light-emitting device is also provided.EFFECT: invention reduces stress in the light-emitting device, which can improve operating characteristics of the device.29 cl, 18 dwg Настоящее изобретение относится к технологиям роста и структурам устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых выращивают III-нитридную структуру на подложке, при этом III-нитридная структура содержит шаблон, в свою очередь содержащий первый слой, выращенный непосредственно на подложке, при этом в первом слое, по существу, не содержится индий; второй слой, выращенный над первым слоем, при этом второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; и третий слой, выращенный над вторым слоем и в непосредственном контакте со вторым слоем, при этом третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; и слои устройства, выращенные поверх шаблона, слои устройства, содержащие III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа. Также предложен еще один вариант способа изготовления светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает уменьшение напряжения в светоизлучающем устройстве, что может улучшить рабочие характеристики устройства. 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 19 ил.