METHOD FOR QUANTITATIVE DETERMINATION OF CONTENT OF SILICON DIOXIDE ON SURFACE OF SILICON

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: method for quantitative determination of silicon dioxide on the surface of silicon involves selective etching of the analysed silicon sample with an aqueous comparison solution until complete dissolution of silicon dioxide on the silicon sample; placing the obtained solution into the first chamber of a potential cell separated from a second chamber; placing the comparison solution into the second chamber; measuring emf and determining molar amount of the analysed dioxide from a calibration curve. The potential cell has a membrane electrode assembly in form of a perforated proton-conducting membrane on whose two sides electrodes are deposited in form of porous platinum layers.EFFECT: method provides simple and rapid quantitative determination of silicon dioxide on silicon.2 ex Изобретение относится к способам анализа двухкомпонентных структур на основе кремния и может использоваться в электронной промышленности. Способ количественного определения диоксида кремния на поверхности кремния включает селективное травление исследуемого образца кремния водным раствором сравнения до полного растворения находящегося на образце кремния диоксида кремния, помещение полученного раствора в первую камеру потенциометрической ячейки, отделенную от второй камеры, помещение во вторую камеру раствора сравнения, измерение величины электродвижущей силы (ЭДС) и определение мольного количества исследуемого диоксида по предварительно построенной градуировочной кривой. Потенциометрическая ячейка содержит мембранно-электродный блок, изготовленный в виде перфторированной протонпроводящей мембраны, на обе стороны которой нанесены электроды в виде пористых слоев платины. Способ предоставляет возможность простого и экспрессного количественного определения диоксида кремния на кремнии. 2 пр.