HIGH-VOLTAGE UNIPOLAR PULSE AMPLITUDE LIMITER
FIELD: physics, computer engineering. ^ SUBSTANCE: invention relates to computer engineering and specifically to radar, and can be used in excitation systems of avalanche diode or Gunn diode microwave oscillators. The unipolar pulse amplitude limiter has: an input and an output, a bipolar transistor...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics, computer engineering. ^ SUBSTANCE: invention relates to computer engineering and specifically to radar, and can be used in excitation systems of avalanche diode or Gunn diode microwave oscillators. The unipolar pulse amplitude limiter has: an input and an output, a bipolar transistor whose emitter is connected to the output of the limiter and the collector is connected to a conductor which is common for the whole device, a first resistor whose first lead is connected to the emitter of the bipolar transistor and the second lead is connected to the input of the limiter, a second resistor whose first lead is connected to the emitter of the bipolar transistor and the second lead is connected to the conductor which is common for the whole device, a third resistor whose first lead is connected to a power supply, a stabilitron whose cathode is connected to the second lead of the third resistor and the anode is connected to the conductor which is common for the whole device, and a capacitor whose first lead is connected to the second lead of the third resistor and the second lead is connected to the conductor which is common for the whole device; there is semiconductor diode whose anode is connected to the base of the bipolar transistor and the cathode is connected to the second lead of the third resistor. ^ EFFECT: possibility of obtaining pulses whose amplitude is many times greater than the maximum allowable base-emitter voltage of modern bipolar transistors. ^ 2 dwg
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к радиолокации, и может быть использовано в системах возбуждения СВЧ-генераторов на лавинно-пролетных диодах и диодах Ганна. Техническим результатом является возможность получения импульсов с амплитудой, во много раз превышающей предельно допустимые напряжения база-эмиттер современных биполярных транзисторов. Ограничитель амплитуды однополярных импульсов содержит: вход и выход, биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с выходом ограничителя, а коллектор - с общим для всего устройства проводником, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - со входом ограничителя, второй резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником, третий резистор, первый вывод которого соединен с источником питания, стабилитрон, катод которого соединен со вторым выводом третьего резистора, а анод - с общи |
---|