SEMICONDUCTOR INFRARED SOURCE (VERSIONS)

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: semiconductor infrared source includes a semiconductor substrate (1) with two optically connected and geometrically spaced-apart disc resonators (2) or annular resonators (10) in form of a heterostructure. On the surface of the semiconductor substrate (1) lying opposite the surface with the disc resonators (2) or annular resonators (10) there a first ohmic contact (3). A second ohmic contact (8) is deposited on the face of the corresponding disc resonator (2) or annular resonator (10). The distance from the outer edge of the second contact to the inner edge of the resonator is not more than 100 mcm. The disc resonators (2) or annular resonators (10) lie from each other at a distance L or overlap in the region of waveguides at a depth D, said distance and depth satisfying certain relationships. ^ EFFECT: simple design and reducing optical loss during single-mode oscillation in the middle infrared spectrum. ^ 2 cl, 14 dwg Полупроводниковый источник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) с двумя оптически связанными и геометрически разнесенными дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10) в виде гетероструктур. На поверхность полупроводниковой подложки (1) противолежащую поверхности с дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10), нанесен первый омический контакт (3). По одному второму омическому контакту (8) нанесено на торец соответствующего дискового резонатора (2) или кольцевого резонатора (10), причем расстояние от внешнего края второго контакта до внешнего края резонатора не превышает 100 мкм, при этом дисковые резонаторы (2) или кольцевые резонаторы (10) отстоят друг от друга на расстояние L или взаимно перекрывают в области волноводов на глубину D, которые удовлетворяют определенным соотношениям. Технический результат заключается в упрощении конструкции и обеспечении снижения оптических потерь при одномодовой генерации в средней ИК-области спектра. 2 н.п. ф-лы, 14 ил.