SUPERCONDUCTING COMPOSITE MATERIAL BASED ON HTS COMPOUNDS AND METHOD OF PRODUCING SAID MATERIAL

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: superconducting composite material based on high-temperature superconductivity (HTS) compounds contains powder of synthetic bismuthic HTS compounds (having structure 2212, 2223), and nanosized (from 20 to 100 nm) boron nitride particles uniformly distributed in the volum...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MIKHAJLOVA ALEKSANDRA BORISOVNA, RUDNEV IGOR' ANATOL'EVICH, SHAMRAJ VLADIMIR FEDOROVICH, SPITSIN BORIS VLADIMIROVICH, BOCHKO ANATOLIJ VASIL'EVICH, MIKHAJLOV BORIS PETROVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: superconducting composite material based on high-temperature superconductivity (HTS) compounds contains powder of synthetic bismuthic HTS compounds (having structure 2212, 2223), and nanosized (from 20 to 100 nm) boron nitride particles uniformly distributed in the volume of the composite material in amount of 0.05-0.5 wt %. ^ EFFECT: obtaining novel superconducting composite materials based on HTS compounds with high current-carrying capability in both a zero magnetic field and high-strength external magnetic fields. ^ 2 cl, 1 tbl Изобретение относится к разработке новых составов ВТСП композитов на основе Bi-ВТСП соединений с повышенными токонесущими свойствами. Сущность изобретения: сверхпроводящий композиционный материал на основе висмутовых ВТСП соединений содержит порошок синтезированных висмутовых ВТСП соединений (со структурой 2212, 2223) и равномерно распределенные в объеме композиционного материала наноразмерные (от 20 до 100 нм) частицы нитрида бора в количестве 0,05-0,5 мас.%. Техническим результатом изобретения является получение новых сверхпроводящих композиционных материалов на основе ВТСП соединений с повышенным уровнем токонесущей способности как в нулевом магнитном поле, так и во внешних магнитных полях повышенной напряженности. 2 н.п. ф-лы, 1 табл.