METHOD FOR OBTAINING FERROMAGNETIC FILM FROM SILICIDE NANOCLUSTERS ON SURFACE OF SILICONE SUBSTRATE
FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: method consists in plasma-chemical synthesis of self-organised silicide nanoclusters of transition ferromagnetic metals by way of pulse formation of counter flows of excited atoms of transition ferromagnetic metal and silicon at the characteristic distance determined...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: method consists in plasma-chemical synthesis of self-organised silicide nanoclusters of transition ferromagnetic metals by way of pulse formation of counter flows of excited atoms of transition ferromagnetic metal and silicon at the characteristic distance determined by the mean free path of the reacting atoms and plasma Ar with their subsequent deposition on a silicon substrate. Deposition is carried out in gas discharge chamber at pressure P=0.15 atm., voltage drop at charge 120 V and deposition time 20 sec. ^ EFFECT: increase of deposition time, multi-purpose and economical method. ^ 9 dwg
Изобретение относится к плазменной технологии, а именно к способам получения ферромагнитных пленок из нанокластеров силицидов на поверхности кремниевой подложки методом локализованного газового разряда Ar и может быть использовано при получении базовых элементов спинтроники. Технический результат - увеличение скорости напыления, многофункциональность и экономичность способа. Способ включает плазмохимический синтез самоорганизованных нанокластеров силицидов переходных ферромагнитных металлов путем импульсного формирования встречных потоков возбужденных атомов переходного ферромагнитного металла и кремния на характеристических расстояниях, определяемых длиной свободного пробега реагирующих атомов и плазмы Ar с последующим их осаждением на кремниевую подложку. Осаждение проводят при давлении в газоразрядной камере Р=0,15 атм, падении напряжения на разряде 120 В и времени осаждения 20 сек. 9 ил. |
---|