III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES, GROWN ON TEMPLATES TO REDUCE STRAIN

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: device according to the invention includes: a III-nitride structure, having: a first layer (22). That first layer virtually does not contain indium; a second layer (26), grown on top of the first layer, wherein that second layer is not a monocrystalline layer, containing indium; a third layer (22) lying between the first layer (22) and the second layer (26) and in direct contact with the first layer, wherein that third layer is not a monocrystalline layer, virtually does not contain indium, and device layers (10) grown on top of the second layer. The device layers contain a III-nitride light-emitting layer lying between an n-type region and a p-type region. Three more versions of the III-nitride light-emitting device are also disclosed. ^ EFFECT: reduced strain in the device, which in turn improves operating characteristics of the device. ^ 16 cl, 19 dwg Изобретение может быть применено в электронных или оптоэлектронных приборах. Прибор согласно изобретению содержит: III-нитридную структуру, содержащую: первый слой (22), причем этот первый слой практически не содержит индия; второй слой (26), выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; третий слой 22, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26, и в непосредственном контакте с первым слоем, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, практически не содержащим индия, и приборные слои (10), выращенные поверх второго слоя, причем приборные слои содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. Также предложены еще три варианта выполнения III-нитридного светоизлучающего прибора. Изобретение обеспечивает уменьшение деформации в приборе, что в свою очередь улучшает рабочие характеристики прибора. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 19 ил.