METHOD OF PRODUCING SILICON
FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: silicon is obtained by mixing silicon dioxide with magnesium as a reducing agent. Silicon dioxide and magnesium are first purified until achieving total content of nonmetal impurities of not more than 3 ppm. The charge mixture is heated to obtain silicon and magnesium...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: silicon is obtained by mixing silicon dioxide with magnesium as a reducing agent. Silicon dioxide and magnesium are first purified until achieving total content of nonmetal impurities of not more than 3 ppm. The charge mixture is heated to obtain silicon and magnesium oxide. The silicon is purified from magnesium oxide by converting MgO into a soluble salt, e.g., with hydrochloric acid, chlorine, and then washing with MgCl2. The obtained magnesium chloride can be used to produce magnesium metal and chlorine. ^ EFFECT: obtaining elementary silicon with low content of nonmetal impurities, low cost of the end product by excluding power consumption at the step for reducing silicon oxide. ^ 2 cl, 2 ex
Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано для получения синтетического кремния. Кремний получают, смешивая диоксид кремния с магнием в качестве восстановителя. Диоксид кремния и магний предварительно очищают до суммарного содержания примесей неметаллов не более 3 ppm. Шихту нагревают, получая оксид магния и кремний. Кремний очищают от оксида магния переводом MgO в растворимую соль, например соляной кислотой, хлором, с последующей отмывкой MgCl2. Полученный хлорид магния может быть использован для получения металлического магния и хлора. В результате перечисленных операций получается твердый продукт - элементный кремний с низким содержанием примесей неметаллов. Изобретение также позволяет снизить себестоимость конечного продукта за счет исключения энергозатрат на стадии восстановления оксида кремния. 1 з.п. ф-лы, 2 пр. |
---|