SEMICONDUCTOR ELEMENT EMITTING LIGHT IN ULTRAVIOLET BAND

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: semiconductor element has a multilayer structure made from group three metal nitride solid solutions. The multilayer structure includes a template on which an active layer and contact layers with a different type of conductivity are arranged in series. In order to prevent leakage of electrons from the active layer into the p-contact layer, the p-contact layer has polarity which is opposite that of the active layer. Due to such distribution of polarities, internal quantum efficiency considerably increases and, consequently, efficiency of converting electrical energy to radiation increases. ^ EFFECT: high efficiency of converting electrical energy to radiation by reducing leakage of charge carriers from the active region and the invention can be used in serial production. ^ 4 cl, 1 dwg Полупроводниковый элемент содержит многослойную структуру, выполненную из нитридов твердых растворов металлов третьей группы. Многослойная структура включает темплейт, на котором последовательно расположены: активный слой и контактные слои с различным типом проводимости. Для предотвращения утечки электронов из активного слоя в р-контактный слой, р-контактный слой выполнен с полярностью, противоположной полярности активного слоя. За счет такого распределения полярностей значительно увеличивается внутренняя квантовая эффективность и, как следствие, повышается эффективность преобразования электрической энергии в излучение. Изобретение направлено на повышение эффективности преобразования электрической энергии в излучение путем снижения утечки носителей заряда из активной области и может быть использовано в серийном производстве. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.