BETA RADIATION-TO-ELECTRICAL ENERGY SEMICONDUCTOR CONVERTER

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: disclosed is the design of a beta radiation-to-electrical energy semiconductor converter, having a semiconductor plate with a textured surface, a diode structure along the textured surface and a layer of radioactive substance on the textured surface. The textured surface...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PUSTOVALOV SERGEJ ALEKSEEVICH, ZADDEH VITALIJ VIKTOROVICH, TSVETKOV LEV ALEKSEEVICH, TSVETKOV SERGEJ L'VOVICH, PUSTOVALOV ALEKSEJ ANTONOVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: disclosed is the design of a beta radiation-to-electrical energy semiconductor converter, having a semiconductor plate with a textured surface, a diode structure along the textured surface and a layer of radioactive substance on the textured surface. The textured surface of the semiconductor plate is in form of a plurality of through-channels having the shape of a circle, an oval, a rectangle or another arbitrary shape, and the radioactive substance, which contains a nickel-63 radionuclide, tritium or both, covers the walls of the channels and a large part of the remaining surface of the semiconductor plate. ^ EFFECT: simplification of the method and low cost of making a beta radiation converter, as well as increase in specific electric power and reliability thereof. ^ 4 cl, 3 dwg Изобретение относится к атомной и полупроводниковой технике, в частности к изготовлению маломощных источников электроэнергии с использованием радиоактивных изотопов и полупроводниковых преобразователей. Предлагается конструкция полупроводникового преобразователя бета-излучения в электроэнергию, содержащий пластину полупроводника с текстурированной поверхностью, диодную структуру вдоль текстурированной поверхности и слой радиоактивного вещества на текстурированной поверхности. Текстурированная поверхность пластины полупроводника выполнена в виде множества сквозных каналов, имеющих форму круга, овала, прямоугольника или другую произвольную форму, а радиоактивное вещество, содержащее радионуклид никель-63, тритий или оба вместе, покрывает стенки каналов и большую часть остальной поверхности пластины полупроводника. Изобретение обеспечивает возможность упрощения способа и снижения стоимости изготовления бета преобразователя, а также повышения его удельной электрической мощности и надежности в эксплуатации. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.