BETA RADIATION-TO-ELECTRICAL ENERGY SEMICONDUCTOR CONVERTER
FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: disclosed is the design of a beta radiation-to-electrical energy semiconductor converter, having a semiconductor plate with a textured surface, a diode structure along the textured surface and a layer of radioactive substance on the textured surface. The textured surface...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: disclosed is the design of a beta radiation-to-electrical energy semiconductor converter, having a semiconductor plate with a textured surface, a diode structure along the textured surface and a layer of radioactive substance on the textured surface. The textured surface of the semiconductor plate is in form of a plurality of through-channels having the shape of a circle, an oval, a rectangle or another arbitrary shape, and the radioactive substance, which contains a nickel-63 radionuclide, tritium or both, covers the walls of the channels and a large part of the remaining surface of the semiconductor plate. ^ EFFECT: simplification of the method and low cost of making a beta radiation converter, as well as increase in specific electric power and reliability thereof. ^ 4 cl, 3 dwg
Изобретение относится к атомной и полупроводниковой технике, в частности к изготовлению маломощных источников электроэнергии с использованием радиоактивных изотопов и полупроводниковых преобразователей. Предлагается конструкция полупроводникового преобразователя бета-излучения в электроэнергию, содержащий пластину полупроводника с текстурированной поверхностью, диодную структуру вдоль текстурированной поверхности и слой радиоактивного вещества на текстурированной поверхности. Текстурированная поверхность пластины полупроводника выполнена в виде множества сквозных каналов, имеющих форму круга, овала, прямоугольника или другую произвольную форму, а радиоактивное вещество, содержащее радионуклид никель-63, тритий или оба вместе, покрывает стенки каналов и большую часть остальной поверхности пластины полупроводника. Изобретение обеспечивает возможность упрощения способа и снижения стоимости изготовления бета преобразователя, а также повышения его удельной электрической мощности и надежности в эксплуатации. 3 з.п. ф-лы, 3 ил. |
---|