METHOD OF PRODUCING SILICON DIOXIDE-BASED THIN NANOSTRUCTURED SINGLE-LAYER COATINGS VIA SOL GEL METHOD IN PRESENCE OF INORGANIC ACIDS AND SALTS THEREOF

FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: method of producing silicon dioxide-based thin nanostructured single-layer coatings involves a silicon tretraalkoxide sol gel process in the presence of an additive of hydrochloric acid and yttrium chloride, in the presence of which, after heating, a transparent silicon dioxide-based film having an antireflection effect is formed. A film-forming solution is prepared with the following ratio of components, wt %: tetraethoxysilane 4.37-5.81, yttrium chloride crystalline hydrate 6.65-8.67, hydrochloric acid - 0.01, 96 wt % ethyl alcohol being the balance. After maturation, the film-forming solution is deposited onto a glass substrate and subjected to thermal treatment in steps. The sample is heated in an air atmosphere at 500-700C for one hour. ^ EFFECT: shorter time for obtaining an antireflection nanoporous coating. ^ 3 ex Изобретение относится к тонкопленочным интерференционным покрытиям для просветления оптических элементов. Способ получения тонких наноструктурированных однослойных покрытий на основе диоксида кремния включает золь-гель процесс тетраалкоксида кремния в присутствии добавки соляной кислоты и хлорида иттрия, при наличии которой после нагревания образуется прозрачная пленка на основе диоксида кремния с просветляющим эффектом. Готовят пленкообразующий раствор при следующем соотношении компонентов, мас.%: тетраэтоксисилан - 4,37-5,81, кристаллогидрат хлорида иттрия - 6,65-8,67, соляная кислота - 0,01, 96% мас. этиловый спирт - остальное. После созревания его наносят на стеклянную подложку и подвергают ступенчатой термообработке. Нагревание образца проводят в атмосфере воздуха при 500-700°С в течение одного часа. Технический результат изобретения - снижение времени получения просветляющего нанопористого покрытия. 3 пр.