SUBLIMATE SOURCE OF EVAPORATED MATERIAL FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY INSTALLATION

FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: sublimate source of evaporated material for molecular beam epitaxy installation includes evaporated material carrier fixed on current leads where end of each current lead contains plate in which hole is made and carrier is made as bar with tapered ends and installed with its tapered ends in the holes made in plates. ^ EFFECT: simplification of manufacturing and lowering material consumption for manufacturing evaporated element with increase in its dimensions and providing high purity and high density of crated flow of evaporated material, as well as prevention of destruction and providing simplicity of evaporated element replacement. ^ 2 cl, 2 dwg Изобретение относится к технологическому оборудованию для нанесения полупроводниковых материалов на подложку эпитаксиальным наращиванием и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники. Сущность изобретения: сублимационный источник напыляемого материала для установки молекулярно-лучевой эпитаксии включает носитель напыляемого материала, закрепленный на токовводах, при этом конец каждого токоввода содержит пластину, в которой выполнено отверстие, а носитель выполнен в виде бруска с суженными концами и установлен суженными концами в отверстиях, выполненных в пластинах. Техническим результатом, достигаемым при использовании настоящего изобретения, является упрощение изготовления и снижение расхода материала на изготовление испаряемого элемента при увеличении его размеров с обеспечением высокой чистоты и высокой плотности формируемого потока испаряемого материала, а также предотвращение разрушения и обеспечение простоты замены испаряемого элемента. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.