NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY BIPOLAR SEMICONDUCTOR POSITION-SENSITIVE PHOTODETECTOR

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: disclosed photodetector is a combined device which is based on a negative differential conductivity semiconductor device and a semiconductor structure of a position-sensitive photodetector. To increase the extent of the position sensitivity region, an extended photosensitive semiconductor structure is added to the negative differential conductivity semiconductor device, said structure having a top photosensitive region of first conductivity type with first and second contacts lying on the edges of the region, a second, middle region of second conductivity type and a third, bottom region of first conductivity type with a third contact, connected such that the first contact to the photosensitive region of the extended photosensitive semiconductor structure is connected to the emitter electrode of the negative differential conductivity device, the second contact to the photosensitive region of the extended photosensitive semiconductor structure is connected to the collector electrode, and the third contact of the extended photosensitive semiconductor structure is connected to the base electrode of the negative differential conductivity device. ^ EFFECT: larger extended position sensitivity region of the negative differential conductivity device. ^ 3 dwg Изобретение может найти применение в различных узлах автоматики, устройствах управления и позиционирования. Фотоприемник, согласно изобретению, представляет собой комбинированный прибор, реализованный на основе полупроводникового прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью и полупроводниковой структуры позиционно-чувствительного фотоприемника. Для увеличения протяженности области позиционной фоточувствительности дополнительно к полупроводниковому прибору с отрицательной дифференциальной проводимостью введена протяженная фоточувствительная полупроводниковая структура, имеющая верхнюю фоточувствительную область первого типа проводимости с первым и вторым контактами, расположенными по краям области, вторую, среднюю, область второго типа проводимости и третью, нижнюю, область первого типа проводимости с третьим контактом, соединенную таким образом, что первый контакт к фоточувствительной области протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с эмиттерным электродом прибора с отрицательной дифференциальной проводимостью, второй контакт к фоточувствительной области протяженной фоточувствительной полупроводниковой структуры соединен с коллекторным электродо