METHOD FOR OBTAINING POROUS SILICON DIOXIDE

FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: in method for obtaining porous film of silicon dioxide of nanometric thickness the film of silicon dioxide is modified with carbon by adding graphite discs to silicon target during magnetron diffusion; formation of pores is performed during execution of chemical reaction of carbon with oxygen on the substrate at the stage of formation of dielectric film. Invention provides obtaining of porous layers of silicon dioxide with various pore concentration. ^ EFFECT: formed film has high adsorption capacity, which allows using it in gas sensors. ^ 3 dwg Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве твердотельных газовых датчиков паров углеводородов. Сущность изобретения: в способе получения пористой пленки диоксида кремния нанометровой толщины пленка диоксида кремния модифицируется углеродом путем добавления графитовых дисков на кремниевую мишень во время магнетронного распыления, формирование пор происходит во время протекания химической реакции углерода с кислородом на подложке на стадии формирования диэлектрической пленки. Изобретение обеспечивает получение пористых слоев диоксида кремния с различной концентрацией пор. Формируемая пленка обладает большой адсорбционной способностью, что позволяет использовать ее в датчиках газов. 3 ил.