METHOD OF REDUCING SPECTRAL DENSITY OF PHOTODIODE DIFFUSION CURRENT FLUCTUATION IN HIGH FREQUENCY RANGE

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: method of reducing spectral density of photodiode diffusion current fluctuation in high frequency range involves applying reverse bias V across a p-n junction with a short base and a blocking contact to the base, said reverse bias satisfying the conditions 3kT < q|V|...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SELJAKOV ANDREJ JUR'EVICH, BURLAKOV IGOR' DMITRIEVICH, FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH, PONOMARENKO VLADIMIR PAVLOVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: method of reducing spectral density of photodiode diffusion current fluctuation in high frequency range involves applying reverse bias V across a p-n junction with a short base and a blocking contact to the base, said reverse bias satisfying the conditions 3kT < q|V| < Vb,t and 3kt < q|V| < Vb,a, where: k is Boltzmann constant; T is temperature; q is electron charge; Vb,t is tunnel breakdown voltage; Vb,a is avalanche breakdown voltage. ^ EFFECT: disclosed method enables to increase the signal-to-noise ratio of the photodiode in the high frequency range by reducing spectral range of diffusion current fluctuation. ^ 4 dwg Изобретение относится к фотоэлектронике и может использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации коротких импульсов электромагнитного излучения оптического и инфракрасного (ИК) диапазона. Способ снижения спектральной плотности флуктуации диффузионного тока фотодиода в области высоких частот заключается в том, что на р-n переход с короткой базой и блокирующим контактом к базе подают обратное смещение V, удовлетворяющее условиям 3kT