METHOD TO MAKE POWERFUL HIGH-VOLTAGE SILICON DEVICES

FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: in the method to make powerful high-voltage silicon devices, including development of a semiconductor structure, comprising a blocking p+N-transition, by means of thermal diffusion of admixtures into silicon of N-type conductivity, which create layers of p+ and n+-type conductivity, applying ohmic contacts structure onto the surface, its radiation at the side of the specified p+N-transition with the energy of 350550 keV and an appropriate dose of 51017 cm-2 11016 cm-2, and radiation of this structure at any side by electrons with the energy of 110 MeV and dose F, determined from the stated ratio. ^ EFFECT: invention provides for manufacturing of powerful high-voltage semiconductor silicon devices with low losses of capacity during their operation, cheapening and acceleration of the technological manufacturing process. ^ 5 ex Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов, включающем создание полупроводниковой структуры, содержащей блокирующий p+N-переход, путем термодиффузии в кремний N-типа проводимости примесей, создающих слои p+ и n+-типа проводимости, напыление на поверхности структуры омических контактов, облучение ее со стороны упомянутого p+N-перехода электронами с энергией 350÷550 кэВ и соответствующей дозой 5·1017 см-2÷1·1016 см-2, и облучение этой структуры с любой стороны электронами с энергией 1÷10 МэВ и дозой Ф, определяемой из заявленного соотношения. Изобретение обеспечивает изготовление мощных высоковольтных полупроводниковых кремниевых приборов с меньшими потерями мощности при их эксплуатации, а также удешевление и ускорение технологического процесса изготовления.