METHOD OF METAL AND SEMICONDUCTOR FORMING USING ELECTRO PLASTIC EFFECT

FIELD: process engineering. ^ SUBSTANCE: invention relates to metal and semiconductor forming. Proposed method comprises metal forming with application of pulsed electric field for plastification and reduction of material strain resistance. Note here that short pulses of electric field are applied to billet. Pulse duration approximates to dielectric Maxwell relaxation interval defined by relation ÿm=0ü/4Ç, where 0 is dielectric coefficient of vacuum equal to 8.85418ù10-14 (S.s/Vcm), is relative dielectric factor of material, ü is material specific resistance, (Ohm cm), while field intensity varies from tens to hundreds of V/cm. This causes polarisation of dislocations in surface near-surface layers of processed material and their orientation along electric field lines. ^ EFFECT: electric plastification, reduced resistance of material and power savings. ^ 1 ex Изобретение относится к способам обработки давлением твердых материалов - металлов и полупроводников, в частности прокатке, штамповке, волочению и плющению. Способ включает механическую обработку давлением с одновременным приложением импульсного электрического поля для пластификации и снижения сопротивления материала деформированию, при этом к заготовке прикладывают короткие импульсы электрического поля с длительностью порядка диэлектрического максвелловского времени релаксации, определяемой формулой Θm=εoερ/4π, где εo - диэлектрическая проницаемость вакуума, равная 8,85418×10-14 (А·сек/В·см), ε - относительная диэлектрическая проницаемость материала, ρ - удельное сопротивление материала (Ом·см), а значения напряженности электрического поля составляют от десятков до сотен В/см. Это вызывает поляризацию дислокаций в поверхностных и приповерхностных слоях обрабатываемого материала и их ориентацию по направлению линий электрического поля. В результате достигается эффект электропластификации, уменьшается сопротивление материала и снижаются затраты энергии на процесс механической обработки. 1 ил.