METHOD OF FORMING ION EMITTER FOR LASER DESORPTION-IONISATION OF CHEMICAL COMPOUNDS

FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: in the method of forming an ion emitter for laser desorption-ionisation of chemical compounds through processing semiconductor materials, the latter is carried out by exposing the surface of semiconductor material to a stream of pulsed laser radiation with intensity greater than the melting threshold of the used material, which ensures the material melts at a depth of not less than 5 nm. The processed semiconductor material re-exposed to electromagnetic radiation with intensity less than the melting threshold of the used material in the presence of vapour of an ion-donor reagent. ^ EFFECT: high accuracy of analysis and low limits for detecting defined compounds, possibility of repeated use of the formed ion emitter. ^ 8 cl, 5 dwg Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности. Сущность изобретения: в способе формирования эмиттера ионов для лазерной десорбции-ионизации химических соединений путем обработки полупроводниковых материалов последнюю осуществляют путем воздействия на поверхность полупроводникового материала потоком импульсного лазерного излучения с интенсивностью, большей порога плавления используемого материала, обеспечивающей при этом плавление материала на глубину не менее 5 нм, обработанный полупроводниковый материал подвергают повторному воздействию электромагнитного излучения с интенсивностью, меньшей порога плавления используемого материала, в присутствии паров протонодонорного реагента. Изобретение обеспечивает увеличение точности анализа и снижение пределов обнаружения определяемых соединений, а также возможность многократного использования сформированного эмиттера ионов. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.