METHOD OF MEASURING NANO-SIZED CONDUCTING SURFACE RELIEF WITH PHOTON ULTIMATE ANALYSIS OF MATERIAL

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: proposed method comprises defining 3D profile of semiconductor or metal surface on bringing probe with metal tip thereto along vertical coordinate Z. Note here that surface under probe nano-tip is irradiated by optical radiation with wavelength from IR to UV with constant spectral power of radiation. Wavelength b corresponding to abrupt increase in tunnel current is recorded to determine semiconductor or metal material by power width of semiconductor forbidden zone Eg or work function of electrons A from metal at surface local area defined by probe nano-tip from relation Eg=1238/b, A=1238/b, where b is boundary wavelength in nm; Eg, A is forbidden zone width for probed semiconductor or work function for metal in eV for given surface point. ^ EFFECT: contactless measurement of ultimate composition. ^ 1 dwg Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к сканирующим туннельным микроскопам. Способ включает определение 3-D профиля полупроводниковой или металлической поверхности при приближении по вертикальной координате Z зонда с металлическим наноострием, при этом облучают поверхность под наноострием зонда перестраиваемым по длине волны оптическим излучением в диапазоне от ИК до УФ с постоянной спектральной мощностью излучения, фиксируют значение длины волны λгр, соответствующее границе резкого возрастания величины туннельного тока и определяют материал полупроводника или металла по значению величины энергетической ширины запрещенной зоны полупроводника Eg или работы выхода А электронов из металла в локальной области поверхности, определяемой наноострием зонда соответственно из соотношения Eg=1238/λгр, А=1238/λгр, где λгр - граничная длина волны в нм; Eg, А - ширина запрещенной зоны для зондируемого полупроводника или работа выхода для металла, в электронвольтах, в данной точке поверхности. Технический результат - обеспечение возможности бесконтактно определять элементный состав материала. 1 ил.