OPTICALLY ACTIVE COMPOSITION AND LIGHT-EMITTING COMBINED DEVICE BASED ON SAID COMPOSITION

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: described is novel assembling of semiconductor devices combined with optically active compositions. In particular, light-emitting semiconductors based on an InGaN structure, combined with highly efficient optically active langasite crystals La3Ga5SiO14. When activating the langasite, said composition interacts with radiation of the InGaN structure. The langasite absorbs high-energy photons emitted by the InGaN structure, and re-emits light with longer wavelength. Short-wave, high-energy radiation of the InGaN structure is mixed with longer wavelength radiation of the optically active composition and forms a wide spectrum which is perceived by a viewer as white light. ^ EFFECT: design of a wideband light source based on semiconductor structures, where a langasite photoluminescent phosphor with high radiation excitation efficiency, characteristic of InGaN light-emitting diodes, re-emits light in the middle range of the visible spectrum. ^ 19 cl, 4 tbl, 2 dwg Изобретение относится к светоизлучающим комбинированным устройствам, содержащим оптически активные композиции на основе Лангасита в сочетании со светодиодами, излучающими в коротковолновой области спектра. Описывается новая компоновка полупроводниковых устройств в сочетании с оптически активными композициями. В частности, светоизлучающие полупроводники, выполненные на основе InGaN структуры, в сочетании с высокоэффективными оптически активными кристаллами Лангасита La3Ga5SiO14. При активировании Лангасита данная композиция взаимодействует с излучением InGaN структуры. Лангасит поглощает фотоны с высокой энергией, излучаемые InGaN структурой, и переизлучает свет с большей длиной волн. Коротковолновое, более высокоэнергетичное излучение InGaN структуры, смешивается с более длинноволновым излучением оптически активной композиции и формирует широкий спектр, который воспринимается наблюдателем как белый свет. Технический результат - создание широкополосного источника света на основе полупроводниковых структур, где фотолюминофор Лангасит с высокой эффективностью возбуждения излучением, характерным для InGaN светодиодов, переизлучает свет в средней области видимого спектра. 4 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 табл., 2 ил.