CHARGE FOR MELTING FINE METAL SILICON

FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: charge consists of dioxide of silicon in form of amorphous silicon dioxide, as carbon containing reducer - soot and additionally - gel of silicic acid at following ratio of components, wt %: amorphous silicon dioxide 36-44, gel of silicic acid 9-17, soot 47-55. ^ EFFE...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: STREBKOV DMITRIJ SEMENOVICH, ZADDEH VITALIJ VIKTOROVICH, LESNIKOV PETR ALEKSANDROVICH, LESNIKOV ALEKSANDR KALISTRATOVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: charge consists of dioxide of silicon in form of amorphous silicon dioxide, as carbon containing reducer - soot and additionally - gel of silicic acid at following ratio of components, wt %: amorphous silicon dioxide 36-44, gel of silicic acid 9-17, soot 47-55. ^ EFFECT: increased output of silicon with upgraded chemical purity applicable for production of solar silicon both in ore-thermal furnaces and in high temperature furnaces of boiling bed. Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к технологии получения металлического кремния как исходного сырья для получения солнечного кремния. Шихта содержит двуокись кремния в виде аморфной двуокиси кремния, в качестве углеродсодержащего восстановителя - сажу и дополнительно - гель кремниевой кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.%: аморфная двуокись кремния 36-44, гель кремниевой кислоты 9-17, сажа 47-55. Изобретение позволяет увеличить выход кремния с повышенной химической чистотой, пригодного для получения солнечного кремния как в рудно-термических печах, так и в высокотемпературных печах кипящего слоя.