CHARGE FOR MELTING FINE METAL SILICON
FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: charge consists of dioxide of silicon in form of amorphous silicon dioxide, as carbon containing reducer - soot and additionally - gel of silicic acid at following ratio of components, wt %: amorphous silicon dioxide 36-44, gel of silicic acid 9-17, soot 47-55. ^ EFFE...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: charge consists of dioxide of silicon in form of amorphous silicon dioxide, as carbon containing reducer - soot and additionally - gel of silicic acid at following ratio of components, wt %: amorphous silicon dioxide 36-44, gel of silicic acid 9-17, soot 47-55. ^ EFFECT: increased output of silicon with upgraded chemical purity applicable for production of solar silicon both in ore-thermal furnaces and in high temperature furnaces of boiling bed.
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к технологии получения металлического кремния как исходного сырья для получения солнечного кремния. Шихта содержит двуокись кремния в виде аморфной двуокиси кремния, в качестве углеродсодержащего восстановителя - сажу и дополнительно - гель кремниевой кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.%: аморфная двуокись кремния 36-44, гель кремниевой кислоты 9-17, сажа 47-55. Изобретение позволяет увеличить выход кремния с повышенной химической чистотой, пригодного для получения солнечного кремния как в рудно-термических печах, так и в высокотемпературных печах кипящего слоя. |
---|