DIODE MULTI-BEAM SOURCE OF COHERENT LASER RADIATION (VERSIONS)

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: diode multi-beam source of coherent laser radiation comprises a master laser, integrally and optically connected to a linear amplifier, two perpendicular amplifiers, integrally and optically connected to the linear amplifier. The master laser and said amplifiers are in form of a single heterostructure. The heterostructure comprises an active layer and two limiting layers and a radiation influx area having an influx layer. The heterostructure is characterised by the ratio of the refractive index nef of the heterostructure to the refractive index nvt of the influx layer. The ratio of nef to nvt is determined from a range extending from one to one minus gamma, where gamma are defined by a number much less than one. The linear amplifier is positioned so that the optical axis of radiation propagation from the master laser coincides with the axis of the linear amplifier. Each perpendicular amplifier has an output edge and is positioned so that its optical axis is at a right angle to the axis of the linear amplifier. There is an element near the crossing point of amplifier axes in order to facilitate flow of a portion of radiation from the linear amplifier to a perpendicular amplifier. This element includes a reflecting plane which intersects the active layer and part of the influx area of the heterostructure within 20% to 80% of the thickness of the influx layer and which forms a 45 angle of inclination with amplifier axes. ^ EFFECT: high power of laser radiation, high efficiency, reliability, longer operating life and modulation rate with simplification of the manufacturing technique. ^ 20 cl, 8 dwg Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит задающий лазер, интегрально и оптически связанный с ним линейный усилитель, два перпендикулярных усилителя, интегрально и оптически связанные с линейным усилителем. Задающий лазер и указанные усилители сформированы в единой гетероструктуре. Гетероструктура содержит активный слой и два ограничительных слоя, область втекания излучения, содержащую слой втекания. Гетероструктура охарактеризована отношением показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания. Отношение nэф к nвт определено из диапазона от единицы до единицы минус гамма, где гамма определяются числом много меньшим единицы. Линейный усилитель расположен так, что оптическая ось распространения излучения задающего лазера совпадает с его осью. Каждый перпендикулярный усилитель