METHOD OF PRODUCING GAS-SENSITIVE MATERIAL FOR NITROGEN DIOXIDE SENSOR
FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention relates to a method of producing electroconductive gas-sensitive material for a nitrogen dioxide sensor. The method of producing gas-sensitive material involves preparation of a film-forming solution from polyacrylonitrile and copper (II) chloride CuCl in dim...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention relates to a method of producing electroconductive gas-sensitive material for a nitrogen dioxide sensor. The method of producing gas-sensitive material involves preparation of a film-forming solution from polyacrylonitrile and copper (II) chloride CuCl in dimethylformamide, which is deposited through centrifuging onto a substrate made from quartz glass and undergoes drying and infrared annealing successively in two steps: on air at temperature 150C for 15 minutes and at 200C for 15 minutes; and in an argon atmosphere at T=150C, 200C for 15 minutes; and then at T=500-800C for 5 minutes. ^ EFFECT: obtaining gas-sensitive material which is sensitive to nitrogen dioxide with semiconductor properties from material which has dielectric properties using infrared annealing. ^ 3 tbl, 2 dwg
Настоящее изобретение относится к способу получения электропроводящего газочувствительного материала для сенсора диоксида азота. Способ получения газочувствительного материалат заключается в приготовлении пленкообразующего раствора из полиакрилонитрила и хлорида меди (II) CuCl в диметилформамиде ДМФА, который методом центрифугирования наносят на подложку из кварцевого стекла и подвергают сушке и ИК-отжигу последовательно в два этапа: на воздухе при температуре 150°С в течение 15 мин и при температуре 200°С в течение 15 мин; а также в атмосфере аргона при Т=150°С, 200°С по 15 мин; затем при Т=500-800°С по 5 мин. Технический результат - получение газочувствительного к диоксиду азота материала с полупроводниковыми свойствами из материала, обладающего диэлектрическими свойствами, с использованием ИК-отжига. 3 табл., 2 ил |
---|