NON-PLANAR LOW-FREQUENCY POWER RECTIFIER DIODE AND METHOD OF MAKING SAID DIODE

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: non-planar low-frequency power rectifier diode on working current over 1000 A and working voltage not lower than 1000 V has an inner contact on which is attached a non-planar semiconductor silicon structure having a tubular shape made from a solid silicon ingot grown the direction, on which a tubular external contact is attached. The inner contact is in form of a copper bushing with a longitudinal inner cavity for passage of coolant or is in form of a flexible copper spiral wound winding to winding, on whose outer surface of which a band in form of a molybdenum layer is soldered. The non-planar silicon semiconductor p+-p-n-n+ composition is a set of closed symmetrical semiconductor monocrystalline layers formed through diffusion on the base of a hollow substrate with walls of varying thickness. A protective dielectric layer is deposited on the surface of the faces of the composition on the output boundaries of the p-n junction. A highly doped p+ silicon region is formed on the outer surface of the non-planar structure by sputtering an aluminium layer for attaching the tubular external current-conducting contact. The non-planar semiconductor composition and the external current-conducting contact attached thereto are mounted between glass-ceramic washers attached to the band. ^ EFFECT: improved operational and technical characteristics. ^ 3 cl, 7 dwg Изобретение относится к области силовой промышленной электронной техники. Сущность изобретения: диод силовой низкочастотный выпрямительный непланарный на рабочий ток свыше 1000 А и рабочее напряжение не менее 1000 В содержит внутренний контакт, на котором закреплена непланарная полупроводниковая кремниевая структура трубчатой формы из сплошного слитка кремния, выращенного в направлении , на которой закреплен трубчатой формы наружный контакт. Внутренний контакт выполнен в виде медной втулки с продольной внутренней полостью для прохождения хладагента или в виде гибкой спирали из меди, навитой виток к витку, на наружной поверхности которой пайкой закреплен бандаж в виде слоя из молибдена. Непланарная кремниевая полупроводниковая р+-р-n-n+ композиция представляет собой совокупность замкнутых симметричных полупроводниковых монокристаллических слоев, сформированных на основе полой подложки со стенками переменной толщины, методом диффузии. На поверхность торцов композиции по границам выхода р-n перехода произведено осаждение защитного слоя диэлектрика. На внешней поверхности непланарной ст