METHOD TO REJECT CMOS MICROCHIPS MANUFACTURED ON SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES, BY RESISTANCE TO RADIATION EXPOSURE
FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: invention is intended to reject CMOS microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by radiation resistance. Method to reject CMOS microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation exposure consists in stage radiation...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: invention is intended to reject CMOS microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by radiation resistance. Method to reject CMOS microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation exposure consists in stage radiation of microchips with a small dose, selection of static current consumption as criterion parametre, determining radiation resistance of microchips, recovery of initial parametres of microchips by means of their additional radiation with grounded leads. Rejection is carried out in a single stage of radiation at test dose determined by results of radiation of determinant group of microchips from production batch. ^ EFFECT: reduced dose load at microchip and reduced time of radiation rejection performance by reduction of radiation dose, and also reduction of one of radiation stage with measurement of microchip parametres. ^ 1 dwg
Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для отбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД (кремний на диэлектрике) структурах, по радиационной стойкости. Способ отбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД структурах, по стойкости к радиационному воздействию заключается в поэтапном облучении микросхем малой дозой, выборе статического тока потребления в качестве критериального параметра, определяющего радиационную стойкость микросхем, восстановлении исходных параметров микросхем путем их дополнительного облучения при заземленных выводах. Разбраковку осуществляют за один этап облучения при тестовой дозе, определяемой по результатам облучения определительной группы микросхем из производственной партии. Технический результат - уменьшение дозовой нагрузки на микросхему и сокращение времени проведения радиационной отбраковки за счет уменьшения дозы облучения, а также сокращение до одного этапов облучения с измерением параметров микросхемы. 1 ил. |
---|