DEVICE FOR VACUUM SPUTTERING OF FILMS

FIELD: machine building. ^ SUBSTANCE: device can be used for epitaxial growth of layers at fabrication of semi-conductive instruments, devices of integral optics, at application of functional coating out of metal and silicon etc. The device consists of vacuum chamber (1) wherein there is arranged su...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHALKOV VADIM JUR'EVICH, DENISOV SERGEJ ALEKSANDROVICH, SHENGUROV VLADIMIR GENNAD'EVICH, SVETLOV SERGEJ PETROVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: machine building. ^ SUBSTANCE: device can be used for epitaxial growth of layers at fabrication of semi-conductive instruments, devices of integral optics, at application of functional coating out of metal and silicon etc. The device consists of vacuum chamber (1) wherein there is arranged substrate holder (2) and resistive evaporator (3) of sputtered material connected to a current source with current inputs (4) interconnected with an insulator. The current conductors are located inside bellows (7) pressure tight installed in a wall of the chamber. Current conductors (4) are connected to a drive to ensure swinging motion of evaporator of sputtered material. ^ EFFECT: increased uniformity of thickness of sputtered layers and growth of uniform epitaxial layers on substrate of big area. ^ 5 cl, 1 dwg Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме, в частности к устройству для вакуумного напыления пленок, и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной оптики, при нанесении функциональных покрытий из металлов и кремния и т.п. Устройство содержит расположенные в вакуумной камере (1) подложкодержатель (2) и резистивный испаритель (3) напыляемого материала, подключенные к источнику тока токовводами (4), которые соединены между собой изолятором и расположены внутри герметично укрепленного в стенке камеры сильфона (7). Токовводы (4) соединены с приводом для обеспечения качательного движения испарителя напыляемого материала. Устройство позволяет повысить однородность толщины напыляемых слоев и обеспечивает возможность выращивания однородных эпитаксиальных слоев на подложке большой площади. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.