METHOD FOR FORMATION OF CONDUCTING STRUCTURE IN DIELECTRIC MATRIX

FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: method for formation of conducting structure in dielectric matrix includes application of mask with holes that produce required pattern, onto film or billet of oxide of metal or superconductor, radiation of mask (billet) by a flow of speeded protons or atoms of hydrogen and further exposure of radiated sections to oxygen, at the same time holes in mask are arranged with aspect ratio, providing for production of structure elements of smaller size compared to transverse size of holes in mask. ^ EFFECT: development of conditions providing for formation of structure elements with dimensions that are considerably smaller than dimensions of holes in mask. ^ 4 cl, 6 ex, 5 tbl, 1 dwg Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока ускоренных частиц и может быть использовано в нанотехнологиях, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств. Способ формирования проводящей структуры в диэлектрической матрице включает нанесение маски с отверстиями, образующими требуемый рисунок, на пленку или заготовку окисла металла или полупроводника, облучение маски (заготовки) потоком ускоренных протонов или атомов водорода и последующее воздействие на облученные участки кислородом, при этом отверстия в маске выполняют с аспектным соотношением, обеспечивающим получение элементов структуры меньшего размера, чем поперечный размер отверстий в маске. Изобретение направлено на создание условий, обеспечивающих формирование элементов структуры с размерами, существенно меньшими размеров отверстий в маске, включая создание элементов с размерами ~1 нм. 3 з.п. ф-лы, 5 табл., 1 ил.