VERTICAL FIELD TRANSISTOR

FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: in vertical field transistor containing the source connection, ohmic contact to the source, source, vertical conducting channels, gate made in the form of metal band, sink, the first and the second dielectric layers located on upper and lower surfaces of metal band and adjacent to side surfaces of vertical conducting channels, and substrate, to lower sink surface there in series applied is layer of ohmic contact, contact layer of ductile metal and damping layer of ductile metal, to lower surface of non-perforated end of metal band there in series applied is the first process layer, the second process layer and support for non-perforated end of metal band; substrate is made from heat-conducting dielectric material; to upper side of substrate there applied are the first and the second contact platforms which are galvanically connected to lower surfaces of damping layer and metal support, and all the transistor elements arranged on dielectric substrate, except the source connection, are enveloped with protective dielectric filling. ^ EFFECT: invention allows increasing output power of transistor and improving reliability and its life time. ^ 8 cl, 3 dwg Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: в вертикальном полевом транзисторе, содержащем вывод истока, омический контакт к истоку, исток, вертикальные проводящие каналы, затвор, выполненный в виде металлической ленты, сток, первый и второй слои диэлектрика, расположенные с верхней и нижней поверхностей металлической ленты и прилегающие к боковым поверхностям вертикальных проводящих каналов, и подложку, на нижнюю поверхность стока последовательно нанесены слой омического контакта, контактный слой пластичного металла и демпфирующий слой пластичного металла, на нижнюю поверхность неперфорированного конца металлической ленты последовательно нанесены первый технологический слой, второй технологический слой и подставка для неперфорированного конца металлической ленты, подложка выполнена из теплопроводного диэлектрического материала, на верхнюю сторону подложки нанесены первая и вторая контактные площадки, которые гальванически соединены с нижними поверхностями соответственно демпфирующего слоя и металлической подставки, и все элементы транзистора, размещенные на диэлектрической подложке, за исключением вывода истока, ок