AMORPHOUS OXIDE AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING SAID OXIDE

FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: amorphous oxide compound having a composition which, when said compound is in crystalline state, has formula In2-xM3xO3(Zn1-YM2YO)m, where M2 is Mg or Ca, M3 is B, Al, Ga or Y, 0 ëñ X ëñ 2, 0 ëñ Y ëñ 1, and m equals 0 or is a positive integer less than 6, or a mixture of such compounds, where the said amorphous oxide compound also contains one type of element or several elements selected from a group consisting of Li, Na, Mn, Ni, Pd, Cu, Cd, C, N, P, Ti, Zr, V, Ru, Ge, Sn and F, and the said amorphous oxide compound has concentration of electronic carriers between 1015/cm3 and 1018/cm3. ^ EFFECT: amorphous oxide which functions as a semiconductor for use in the active layer of a thin-film transistor. ^ 6 cl, 8 dwg Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: аморфное оксидное соединение, имеющее состав, который при нахождении указанного соединения в кристаллическом состоянии описывается формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 представляет собой Mg или Са, М3 представляет собой В, Al, Ga или Y, 0≤Х≤2, 0≤Y≤1, и m представляет собой 0 или натуральное число меньше 6, или смесь таких соединений, причем упомянутое аморфное оксидное соединение дополнительно содержит один тип элемента или множество элементов, выбранных из группы, состоящей из Li, Na, Mn, Ni, Pd, Cu, Cd, C, N, P, Ti, Zr, V, Ru, Ge, Sn и F, и упомянутое аморфное оксидное соединение имеет концентрацию электронных носителей в пределах от 1015/см3 до 1018/см3. Техническим результатом изобретения является предоставление аморфного оксида, который функционирует, как полупроводник для использования в активном слое тонкопленочного транзистора. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 10 ил.