HEAT-SENSITIVE FIELD DEVICE

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: heat-sensitive field device has a capacitor with a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure with a movable conducting field electrode suspended on a bimorph cantilever over a semiconductor substrate. Part of the cantilever consists of two or more layers with different coefficients of thermal expansion. The cantilever bends under the heating effect of thermal radiation, thereby effectively changing the value of the insulating gap between the conducting electrode and the semiconductor substrate, which enables thermal modulation of the value of mobile charge or electric current in the surface region of the semiconductor. ^ EFFECT: design of a device with high thermal sensitivity owing to use of a deep depletion mode in the structure with charge accumulation. ^ 4 dwg Изобретение относится к инфракрасной технике, а именно к преобразователям теплового излучения в электрический сигнал. Предлагаемый термочувствительный полевой прибор содержит конденсатор со структурой «металл - диэлектрик - полупроводник» (МДП) с подвижным проводящим полевым электродом, подвешенным на биморфной консоли над полупроводниковой подложкой. Часть консоли состоит из двух или более слоев с разными коэффициентами термического расширения. Под действием нагрева тепловым излучением консоль изгибается, эффективно изменяя величину изолирующего промежутка между проводящим электродом и полупроводниковой подложкой, что обеспечивает возможность тепловой модуляции величины подвижного заряда или электрического тока в приповерхностной области полупроводника. Технический результат - реализация прибора с высокой термической чувствительностью за счет использования режима глубокого (сильного) обеднения в структуре с накоплением заряда. 4 ил.