DIODE MULTI-BEAM SOURCE OF COHERENT LASER RADIATION

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: diode multi-beam source of coherent laser radiation has at least one laser diode and at least two diode optical amplifiers integrally connected to the said laser and formed in the same heterostructure. The heterostructure has at least one active layer and two bounding layers and a radiation-transparent influx region having an influx layer. The heterostructure is characterised by ratio of refraction index nef of the heterostructure to the refraction index nin of the influx layer. The ratio of nef to nin is defined in the range from one plus delta to one minus gamma, where delta and gamma are defined by a number much less than one and gamma is greater than delta. In connection area of each active amplification region of amplifiers to the active region of laser generation there is an integrated spillover element of the given part of laser radiation from the laser to the amplifier. The said element includes at least two laser radiation reflecting optical planes which are perpendicular to the plane of the layers of the heterostructure and penetrate with crossing of the active layer inside the influx layer by a depth selected from the range between 20% and 80% of the thickness of the influx layer. The reflecting plane is turned approximately 45 (modulus) about the optical axes of the laser and amplifier. ^ EFFECT: high output power of amplified laser radiation, high efficiency, reliability, longer service life and modulation rate with simplification of the technology of manufacturing the source. ^ 14 cl, 8 dwg Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит по крайней мере один диодный лазер и по крайней мере, два диодных оптических усилителя, интегрально связанных с упомянутым лазером и сформированных в той же гетероструктуре. Гетероструктура содержит по крайней мере один активный слой и два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую слой втекания. Гетероструктура охарактеризована отношением показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, отношение nэф к nвт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты. В районе присоединения каждой активной области усиления усилителей к активной области генерации лазера имеется интегральный элемент перетекания заданной части лазерного излучения из лазера в усилитель. Указанный элемент